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VS-8EWS12STR-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

VS-8EWS12STR-M3

Paket:

D-PAK (TO-252AA)

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F -
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V
Series -
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Package Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) 8A
Base Product Number 8EWS12