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VS-GT100TS065N

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

VS-GT100TS065N

Paket:

INT-A-PAK IGBT

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MODULES IGBT - IAP IGBT

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor No
Configuration Half Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 96 A
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
Supplier Device Package INT-A-PAK IGBT
Series -
Input Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A
Package / Case Module
Power - Max 259 W
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Current - Collector Cutoff (Max) 50 µA
Package Box
IGBT Type Trench Field Stop