VS-GT80DA120U

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

VS-GT80DA120U

Hersteller:

Paket:

SOT-227

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor	No
Configuration	Single
Current - Collector (Ic) (Max)	139 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce	4.4 nF @ 25 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Supplier Device Package	SOT-227
Series	HEXFRED®
Input	Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 80A
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Power - Max	658 W
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Current - Collector Cutoff (Max)	100 µA
Package	Bulk
IGBT Type	Trench
Base Product Number	GT80