XPQ1R004PB,LXHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

XPQ1R004PB,LXHQ

Hersteller:

Paket:

L-TOGL™

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM

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Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	L-TOGL™
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max)	230W (Tc)
Package / Case	8-PowerBSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	XPQ1R004