1N4150TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

1N4150TR

Hersteller:

Paket:

DO-35 (DO-204AH)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	4 ns
Capacitance @ Vr, F	2.5pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	DO-35 (DO-204AH)
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 nA @ 50 V
Series	-
Package / Case	DO-204AH, DO-35, Axial
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 200 mA
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	50 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	300mA
Base Product Number	1N4150