BC857BQAZ

NXP Semiconductors

Produkt-Nr.:

BC857BQAZ

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DFN1010D-3

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NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN

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Operating Temperature	150°C (TJ)
Frequency - Transition	100MHz
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45 V
Supplier Device Package	DFN1010D-3
Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	PNP
Package / Case	3-XDFN Exposed Pad
Power - Max	280 mW
Mfr	NXP Semiconductors
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
Package	Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Base Product Number	BC857