FDD306P

onsemi

Produkt-Nr.:

FDD306P

Hersteller:

Paket:

TO-252AA

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 275

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	52W (Ta)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.7A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FDD306