G700P06J

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G700P06J

Hersteller:

Paket:

TO-251

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1465 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube