IXTA75N10P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTA75N10P

Hersteller:

Paket:

TO-263AA

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 75A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Polar
Power Dissipation (Max)	360W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTA75