IXTP05N100

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTP05N100

Hersteller:

Paket:

TO-220-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17Ohm @ 375mA, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	750mA (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTP05