NCD57090DDWR2G

onsemi

Produkt-Nr.:

NCD57090DDWR2G

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8-SOIC

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ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

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Operating Temperature	-40°C ~ 125°C
Rise / Fall Time (Typ)	13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min)	100kV/µs (Max)
Voltage - Isolation	5000Vrms
Approval Agency	VDE
Current - Peak Output	6.5A
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	8-SOIC
Pulse Width Distortion (Max)	25ns
Series	-
Package / Case	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Number of Channels	1
Technology	Capacitive Coupling
Voltage - Output Supply	0V ~ 32V
Mfr	onsemi
Voltage - Forward (Vf) (Typ)	-
Package	Tape & Reel (TR)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max)	90ns, 90ns
Current - Output High, Low	6.5A, 6.5A
Base Product Number	NCD57090