SI1077X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI1077X-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

SC-89 (SOT-563F)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V SC89-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	965 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31.1 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Supplier Device Package	SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	330mW (Ta)
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.75A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1077