SI3456DDV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI3456DDV-T1-E3

Hersteller:

Paket:

6-TSOP

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Datenblatt:

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MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.3A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI3456