SI6913DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI6913DQ-T1-E3

Hersteller:

Paket:

8-TSSOP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Supplier Device Package	8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 400µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	830mW
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.9A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI6913