SI7956DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI7956DP-T1-E3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® SO-8 Dual

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1.4W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.6A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7956