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SQ1912EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQ1912EH-T1_GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

SC-70-6

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 1.5W
Mfr Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQ1912