2301

Goford Semiconductor

Producto No:

2301

Fabricante:

Paquete:

SOT-23

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 2.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)