BS108,126

NXP USA Inc.

Producto No:

BS108,126

Fabricante:

Paquete:

TO-92-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120 pF @ 25 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 100mA, 2.8V
Supplier Device Package	TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	NXP USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V
Package	Tape & Box (TB)
Base Product Number	BS10