BSC0402NSATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

BSC0402NSATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TDSON-8-7

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Descripción:

150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 40A, 10
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 107µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	OptiMOS™ 5
Power Dissipation (Max)	139W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC0402