BSC082N10LSGATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

BSC082N10LSGATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TDSON-8-1

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 10000

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 110µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.8A (Ta), 100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC082