BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

BSC0910NDIATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TISON-8

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Descripción:

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Series	OptiMOS™
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1W
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A, 31A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC0910