BSC098N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

BSC098N10NS5ATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TDSON-8-7

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 60A TDSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 36µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSC098