BSH111BKR

Nexperia USA Inc.

Producto No:

BSH111BKR

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TO-236AB

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Descripción:

MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	302mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	210mA (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSH111