Infineon Technologies
Producto No:
BSM25GB120DN2
Fabricante:
Paquete:
Module
Lote:
-
Ficha de datos:
-
Descripción:
IGBT MODULE
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9
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| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| NTC Thermistor | No |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 38 A |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.65 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Supplier Device Package | Module |
| Series | - |
| Input | Standard |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 200 W |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 800 µA |
| Package | Bulk |
| IGBT Type | - |