BSO211P

Infineon Technologies

Producto No:

BSO211P

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PG-DSO-8

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Descripción:

P-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.9nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Supplier Device Package	PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 25µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	OptiMOS™
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A
Package	Bulk
Base Product Number	BSO211