BSZ058N03MSG

Infineon Technologies

Producto No:

BSZ058N03MSG

Fabricante:

Paquete:

PG-TSDSON-8

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Descripción:

BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	OptiMOS™ 3
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Ta), 40A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk