BSZ076N06NS3G

Infineon Technologies

Producto No:

BSZ076N06NS3G

Fabricante:

Paquete:

PG-TSDSON-8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	OptiMOS™ 3
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk