BSZ100N06NSATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

BSZ100N06NSATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TSDSON-8-FL

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 14µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 36W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSZ100