BTS240AHKSA1

Infineon Technologies

Producto No:

BTS240AHKSA1

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PG-TO218-3-1

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Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 25 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 47A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO218-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	170W
Package / Case	TO-218-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk