BYV30JT-600PQ

WeEn Semiconductors

Producto No:

BYV30JT-600PQ

Fabricante:

Paquete:

TO-3P

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 3840

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	65 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-3P
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Series	-
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 30 A
Mfr	WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	30A
Base Product Number	BYV30