CUS10S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

CUS10S30,H3F

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USC

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DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	135pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	USC
Current - Reverse Leakage @ Vr	500 µA @ 30 V
Series	-
Package / Case	SC-76, SOD-323
Technology	Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	230 mV @ 100 mA
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	125°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Base Product Number	CUS10S30