DMT10H015LCG-7

Diodes Incorporated

Producto No:

DMT10H015LCG-7

Fabricante:

Paquete:

V-DFN3333-8

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Descripción:

MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 155°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	V-DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMT10