ECH8309-TL-H

onsemi

Producto No:

ECH8309-TL-H

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Paquete:

8-ECH

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package	8-ECH
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	ECH8309