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EGF1THE3_A/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Producto No:

EGF1THE3_A/H

Paquete:

DO-214BA (GF1)

Lote:

-

Ficha de datos:

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Descripción:

DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns
Capacitance @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package DO-214BA (GF1)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 1300 V
Series Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Package / Case DO-214BA
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3 V @ 1 A
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1300 V
Package Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) 1A