EGP10B

onsemi

Producto No:

EGP10B

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Paquete:

DO-41

Lote:

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Descripción:

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Not For New Designs
Supplier Device Package	DO-41
Current - Reverse Leakage @ Vr	5 µA @ 100 V
Series	-
Package / Case	DO-204AL, DO-41, Axial
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	950 mV @ 1 A
Mfr	onsemi
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	1A
Base Product Number	EGP10