FCMT199N60

onsemi

Producto No:

FCMT199N60

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Power88

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Descripción:

MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	199mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	Power88
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	SuperFET® II
Power Dissipation (Max)	208W (Tc)
Package / Case	4-PowerTSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FCMT199