FCU600N65S3R0

onsemi

Producto No:

FCU600N65S3R0

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Paquete:

I-PAK

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Descripción:

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	465 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 600µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	SuperFET® III
Power Dissipation (Max)	54W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FCU600