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FDD6670S

Fairchild Semiconductor

Producto No:

FDD6670S

Paquete:

TO-252, (D-Pak)

Lote:

-

Ficha de datos:

-

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 150°C
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13.8A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Ta)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bulk