FDFME3N311ZT

onsemi

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FDFME3N311ZT

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6-UMLP (1.6x1.6)

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	75 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Supplier Device Package	6-UMLP (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	600mW (Ta)
Package / Case	6-UFDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Vgs (Max)	±12V
Package	Bulk