FDMD8900

Fairchild Semiconductor

Producto No:

FDMD8900

Fabricante:

Paquete:

12-Power3.3x5

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 15410

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2605pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package	12-Power3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	12-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2.1W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A, 17A
Package	Bulk
Base Product Number	FDMD89