FDN363N

Fairchild Semiconductor

Producto No:

FDN363N

Fabricante:

Paquete:

SuperSOT™-3

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Ficha de datos:

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	SuperSOT™-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	500mW (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Bulk