FQP4N80

onsemi

Producto No:

FQP4N80

Fabricante:

Paquete:

TO-220-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 1889

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	130W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FQP4