G35P04D5

Goford Semiconductor

Producto No:

G35P04D5

Fabricante:

Paquete:

8-DFN (4.9x5.75)

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P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)