GAN041-650WSBQ

Nexperia USA Inc.

Producto No:

GAN041-650WSBQ

Fabricante:

Paquete:

TO-247-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 372

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	187W
Package / Case	TO-247-3
Technology	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47.2A
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube