GT40WR21,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

GT40WR21,Q

Fabricante:

Paquete:

TO-3P(N)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

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Operating Temperature	175°C (TJ)
Test Condition	-
Input Type	Standard
Switching Energy	-
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1350 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	5.9V @ 15V, 40A
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	375 W
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tray
IGBT Type	-