HGTD7N60C3S9A

Fairchild Semiconductor

Producto No:

HGTD7N60C3S9A

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Paquete:

TO-252, (D-Pak)

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Descripción:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition	-
Input Type	Standard
Switching Energy	165µJ (on), 600µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max)	14 A
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	TO-252, (D-Pak)
Current - Collector Pulsed (Icm)	56 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 7A
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge	23 nC
Power - Max	60 W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Package	Bulk
IGBT Type	-