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HGTP12N60A4D

Fairchild Semiconductor

Producto No:

HGTP12N60A4D

Paquete:

TO-220-3

Lote:

-

Ficha de datos:

-

Descripción:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Input Type Standard
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Switching Energy 55µJ (on), 50µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max) 54 A
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Td (on/off) @ 25°C 17ns/96ns
Supplier Device Package TO-220-3
Current - Collector Pulsed (Icm) 96 A
Series -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Package / Case TO-220-3
Gate Charge 78 nC
Power - Max 167 W
Mfr Fairchild Semiconductor
Package Bulk
IGBT Type -