HUF76129P3

Harris Corporation

Producto No:

HUF76129P3

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TO-220AB

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Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16Ohm @ 56A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	UltraFET™
Power Dissipation (Max)	105W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk