HUF76629D3ST

Fairchild Semiconductor

Producto No:

HUF76629D3ST

Fabricante:

Paquete:

TO-252, (D-Pak)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	UltraFET™
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk