IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

Fabricante:

Paquete:

PG-TDSON-8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

IAUC100N04S6N028ATMA1

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 10598

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1781 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.86mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 24µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	62W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IAUC100